Samsung a anunţat primul cip DRAM LPDDR5 de 8 GB. Acesta vine cu îmbunătăţiri importante comparativ cu generaţia actuală DRAM LPDDR4X:

• este fabricat pe un proces din clasa 10nm;
• rate de transfer mai bune (6400 Mbps vs 4266 Mbps la un voltaj operaţional de 1.1V);
• este cu până la 50% mai rapid;
• este cu până la 30% mai eficient din punct de vedere al consumului de energie.

Noul cip DRAM LPDDR5 va fi utilizat în smartphone-uri tip flagship, device-uri cu inteligenţă artificială şi terminale cu tehnologie 5G.

Producţia de masă va începe zilele acestea la fabrica Samsung din Pyeongtaek, Coreea de Sud, iar primul device cu acest tip de memorie RAM se aşteaptă să fie Samsung GALAXY S10.